[发明专利]半导体装置及其制造方法

摘要

本发明涉及一种半导体装置的制造方法以及通过该方法形成的半导体装置。该制造方法包括：在半导体基板上形成位于NTr和PTr区域的第一栅极绝缘膜；分别在NTr和PTr区域的第一栅极绝缘膜上形成第一栅电极；通过在半导体基板中引入杂质以在NTr和PTr区域的第一栅电极的两侧处形成源/漏极区域；进行用于激活源/漏极区域中的杂质的热处理；形成覆盖NTr和PTr区域的第一栅电极的整个表面的应力衬膜，应力衬膜向半导体基板施加应力；暴露PTr区域的第一栅电极的上部；通过完全移除PTr区域的第一栅电极来形成凹槽，凹槽用于形成第二栅电极；及在凹槽中形成第二栅电极。根据本发明，能够增加半导体装置中的载流子迁移率。

主权项

一种半导体装置的制造方法，其包括：在半导体基板上形成位于有源区域的第一区域和第二区域中的第一栅极绝缘膜，所述第一区域是所述半导体基板上的n沟道场效应晶体管形成区域，所述第二区域是所述半导体基板上的p沟道场效应晶体管形成区域；在所述第一栅极绝缘膜上形成位于所述第一区域中和位于所述第二区域中的第一栅电极；通过在所述半导体基板中引入杂质以在所述第一区域中和所述第二区域中的所述第一栅电极的两侧处形成源/漏极区域；进行用于激活所述源/漏极区域中的所述杂质的热处理；形成覆盖所述第一区域中和所述第二区域中的所述第一栅电极的整个表面的应力衬膜，所述应力衬膜向所述半导体基板施加应力；在至少保留形成在所述第一区域中的部分处的所述应力衬膜的同时，移除所述第二区域中的所述第一栅电极的上部处的所述应力衬膜以暴露所述第二区域中的所述第一栅电极的所述上部；通过完全移除所述第二区域中的所述第一栅电极来形成凹槽，所述凹槽用于形成第二栅电极；及在所述凹槽中形成所述第二栅电极。