[发明专利]空气桥立体电路及其制作方法无效
申请号: | 201110157240.9 | 申请日: | 2011-06-13 |
公开(公告)号: | CN102832162A | 公开(公告)日: | 2012-12-19 |
发明(设计)人: | 丁万春 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L21/768 | 分类号: | H01L21/768;H01L23/522 |
代理公司: | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人: | 董巍;顾珊 |
地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明涉及一种空气桥立体电路及其制作方法,包括:提供半导体衬底和形成在半导体衬底上的至少两个焊垫;在衬底和焊垫表面形成第一光刻胶层,对第一光刻胶层进行曝光以在第一光刻胶层中形成第一待去除区,第一待去除区分别与各焊垫上方的区域对应;在第一光刻胶层上形成第二光刻胶层,对第二光刻胶层曝光以在第二光刻胶层中形成第二待去除区,第二待去除区为包括对应于各第一待去除区上方和相邻第一待去除区之间的区域;去除第一待去除区中的第一光刻胶层和第二待去除区中的第二光刻胶层,以形成空气桥图案;在空气桥图案中填充金属以形成空气桥立体电路;去除剩余的第一光刻胶层和第二光刻胶层。本发明的方法提高了生产效率且降低了生产成本。 | ||
搜索关键词: | 空气 立体 电路 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
一种空气桥立体电路的制作方法,其特征在于包括:步骤1,提供半导体衬底和形成在所述半导体衬底上的至少两个焊垫;步骤2,在所述衬底和所述焊垫表面形成第一光刻胶层,对所述第一光刻胶层进行曝光以在所述第一光刻胶层中形成第一待去除区,所述第一待去除区分别与各所述焊垫上方的区域对应;步骤3,在所述第一光刻胶层上形成第二光刻胶层,对所述第二光刻胶层曝光以在所述第二光刻胶层中形成第二待去除区,所述第二待去除区为包括对应于各所述第一待去除区上方和相邻所述第一待去除区之间的区域;步骤4,去除所述第一待去除区中的第一光刻胶层和所述第二待去除区中的所述第二光刻胶层,以形成空气桥图案;步骤5,在所述空气桥图案中填充金属以形成空气桥立体电路;步骤6,去除剩余的所述第一光刻胶层和所述第二光刻胶层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造