[发明专利]一种薄膜条形结构、太阳能电池及其制造方法有效
| 申请号： | 201110157626.X | 申请日： | 2011-06-13 |
| 公开（公告）号： | CN102832116A | 公开（公告）日： | 2012-12-19 |
| 发明（设计）人： | 朱慧珑;骆志炯;尹海洲 | 申请（专利权）人： | 聚日（苏州）科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/301 | 分类号： | H01L21/301;H01L31/18;H01L31/0224;H01L31/042 |
| 代理公司： | 北京汉昊知识产权代理事务所(普通合伙) 11370 | 代理人： | 朱海波 |
| 地址： | 215123 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提出一种薄膜条形结构和制作方法以及薄膜条形结构阵列。该薄膜条形结构的制造方法包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底的第一表面和/或第二表面上形成至少一条凹痕或一排分离孔；从所述第一表面刻蚀半导体衬底形成至少两个第一沟槽，以及从所述第二表面刻蚀半导体衬底形成至少一个第二沟槽；以及从所述凹痕或分离孔分离所述半导体衬底，从所述第一沟槽和第二沟槽切割或拉伸所述半导体衬底以形成薄膜条形结构。通过本发明能够有效减少从半导体衬底上分离薄膜条形结构时对条形结构和薄膜的破坏，提高产率。本发明所提出的薄膜条形结构和制作方法还可节省半导体用料和降低制造成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜 条形 结构 太阳能电池 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种薄膜条形结构的制作方法，所述方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括第一表面和与其相对的第二表面；在所述第一表面和/或第二表面上形成至少一条凹痕或一排分离孔；从所述第一表面刻蚀半导体衬底形成至少两个第一沟槽，以及从所述第二表面刻蚀半导体衬底形成至少一个第二沟槽，每个所述第二沟槽位于相邻的两个所述第一沟槽之间；以及从所述凹痕或分离孔分离所述半导体衬底，从所述第一沟槽和第二沟槽切割或拉伸所述半导体衬底以形成薄膜条形结构，其中，所述第一沟槽和第二沟槽之间的半导体衬底形成所述薄膜条形结构的半导体基板。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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