[发明专利]一种功率电子开关器件及其制造方法无效
| 申请号： | 201110158476.4 | 申请日： | 2011-06-14 |
| 公开（公告）号： | CN102832123A | 公开（公告）日： | 2012-12-19 |
| 发明（设计）人： | 孙润光;刘宏宇 | 申请（专利权）人： | 孙润光 |
| 主分类号： | H01L21/335 | 分类号： | H01L21/335;H01L21/28;G03F7/00;G03F7/20 |
| 代理公司： | 北京汇智胜知识产权代理事务所(普通合伙) 11346 | 代理人： | 朱登河 |
| 地址： | 201800 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高电子迁移率晶体管器件的制作方法，包括下列步骤：(a)在一个衬底上涂布一层光刻胶；(b)烘干该层光刻胶；(c)用一束平行光照射该层光刻胶，其中该束平行光在其横截面上的分布是：其中心部分的光强大于外围部分的光强；(d)对上述光刻胶层予以显影处理，由此光刻胶层受到所述光束中心部分照射的部位形成一个深至衬底的深槽，而受到所述光束外围部分照射部位形成一个深度小于所述深槽的浅槽；(e)用化学气相沉积工艺向所述光刻胶层沉积多晶硅栅电极材料，由此在所述深槽和浅槽内形成一个“T”形栅电极图形；(f)利用等离子体氧气灰化工艺去除上述光刻胶层以及沉积在所述“T”形栅电极图形之外的栅电极材料。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 功率 电子 开关 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种高电子迁移率晶体管器件的制作方法，包括下列步骤：(a)在一个衬底上涂布一层光刻胶；(b)烘干该层光刻胶；(c)用一束平行光照射该层光刻胶，其中该束平行光在其横截面上的分布是：其中心部分的光强大于外围部分的光强；(d)对上述光刻胶层予以显影处理，由此光刻胶层受到所述光束中心部分照射的部位形成一个深至衬底的深槽，而受到所述光束外围部分照射部位形成一个深度小于所述深槽的浅槽；(e)用化学气相沉积工艺向所述光刻胶层沉积多晶硅栅电极材料，由此在所述深槽和浅槽内形成一个“T”形栅电极图形；(f)利用等离子体氧气灰化工艺去除上述光刻胶层以及沉积在所述“T”形栅电极图形之外的栅电极材料。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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