[发明专利]半导体器件和半导体器件制造方法有效
| 申请号： | 201110159141.4 | 申请日： | 2011-06-01 |
| 公开（公告）号： | CN102280470A | 公开（公告）日： | 2011-12-14 |
| 发明（设计）人： | 福田恭平;望月英司;泽野光利;须泽孝昭 | 申请（专利权）人： | 富士电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/41;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 张鑫 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种能够防止半导体芯片的破裂和碎裂并提高器件特性的半导体器件和半导体器件制造方法。在半导体芯片的元件端部的侧面设置分离层。而且，在半导体芯片的元件端部，通过凹部形成帽檐部。集电层设置在半导体芯片的背面上，延伸到凹部的侧壁和底面，并与分离层连接。在集电层的整个表面上设置集电电极。凹部的侧壁上的集电电极成为，最外层电极膜的厚度为0.05μm或更小。设置在半导体芯片的背面上的集电电极经由焊料层接合于绝缘衬底上。将焊料层设置成覆盖设置在半导体芯片的背面的平坦部上的集电电极。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：正面元件结构，该正面元件结构设置在第一导电型衬底的第一主面上；第二导电型第一半导体区域，该第二导电型第一半导体区域设置在所述衬底的所述第一主面的元件端部；凹部，该凹部从所述衬底的第二主面到达所述第一半导体区域；第二导电型第二半导体区域，该第二导电型第二半导体区域设置在所述衬底的所述第二主面上且与所述第一半导体区域电连接；以及电极，该电极设置在所述第二半导体区域的整个表面且由至少超过一层的电极膜形成，其中设置在所述凹部的侧壁上的所述电极的最外层电极膜的厚度为0.05μm或更小。
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