[发明专利]晶片的加工方法有效
| 申请号： | 201110159381.4 | 申请日： | 2011-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN102299065A | 公开（公告）日： | 2011-12-28 |
| 发明（设计）人： | 小林义和 | 申请（专利权）人： | 株式会社迪思科 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 李辉;黄纶伟 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供晶片的加工方法，能够容易地从晶片表面剥离掉加强板。关于该晶片的加工方法，该晶片在正面具有形成有多个器件的器件区域和围绕该器件区域的外周剩余区域，该加工方法的特征在于，具备：加强板形成工序，在晶片的正面涂覆耐热性粘合剂并使其固化，仅由该粘合剂形成加强板；背面研磨工序，利用卡盘台保持该加强板，对与该器件区域对应的晶片背面进行研磨而形成圆形凹部，在与该外周剩余区域对应的背面，残留环状加强部；贯通电极形成工序，从配设在该加强板上的晶片的背面形成贯通电极，该贯通电极与形成在晶片正面的器件的电极连接；以及加强板去除工序，向该加强板供给使该耐热性粘合剂溶化的溶剂，使该加强板溶化而去除该加强板。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 加工 方法 | ||
【主权项】：
一种晶片的加工方法，该晶片在正面具有形成有多个器件的器件区域和围绕该器件区域的外周剩余区域，该加工方法的特征在于，具备以下工序：加强板形成工序，在晶片的正面涂覆耐热性粘合剂并使其固化，仅由该粘合剂形成加强板；背面研磨工序，利用卡盘台保持该加强板，对与该器件区域对应的晶片背面进行研磨而形成圆形凹部，在与该外周剩余区域对应的背面，残留环状加强部；贯通电极形成工序，从配设在该加强板上的晶片的背面形成贯通电极，该贯通电极与形成在晶片的正面的器件的电极连接；以及加强板去除工序，向该加强板供给使该耐热性粘合剂溶化的溶剂，使该加强板溶化而去除该加强板。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
