[发明专利]半导体部件及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201110159383.3 申请日: 2007-11-13
公开(公告)号: CN102231361A 公开(公告)日: 2011-11-02
发明(设计)人: 彼得·A·伯克;沙丽·豪斯;萨德哈玛·C·沙斯特瑞 申请(专利权)人: 半导体元件工业有限责任公司
主分类号: H01L21/02 分类号: H01L21/02;H01L21/82;H01L21/768;H01L23/522;H01L23/532;H01L27/06
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人: 秦晨
地址: 美国亚*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 一种半导体部件以及用于制造该半导体部件的方法。垂直集成的无源器件制造在基片之上。根据一个实施方案,电阻器制造在高于基片的第一层次中,电容器制造在垂直方向高于第一层次的第二层次中,且铜电感器制造在垂直方向高于第二层次的第三层次中。电容器具有铝极板。根据另一个实施方案,电阻器制造在高于基片的第一层次中,铜电感器制造在垂直方向高于第一层次的第二层次中,且电容器制造在垂直方向高于第二层次的第三层次中。电容器可以具有铝极板,或者铜电感器的一部分可以用作其中一个电容器极板。
搜索关键词: 半导体 部件 及其 制造 方法
【主权项】:
一种制造半导体部件的方法,包括以下步骤:提供基片;在所述基片之上的第一层次处形成电容器;其中形成所述电容器的步骤包括:在所述基片之上形成介电材料的第一层;在所述介电材料的第一层之上形成导电材料的第一层,所述导电材料的第一层具有第一部分和第二部分;在所述导电材料的第一层之上形成介电材料的第二层;在所述介电材料的第二层之上形成导电材料的第二层;在所述第一层次之上的第二层次处形成电感器,其中所述电容器电感器中的至少一个包括镶嵌结构,并且其中形成所述电感器的步骤包括:在所述导电材料的第二层之上形成介电材料的第三层;在所述介电材料的第三层中形成至少一个镶嵌开口;和在所述至少一个镶嵌开口中形成铜;以及从所述基片或在所述基片之上形成电阻器。
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