[发明专利]半导体部件及其制造方法有效
申请号: | 201110159383.3 | 申请日: | 2007-11-13 |
公开(公告)号: | CN102231361A | 公开(公告)日: | 2011-11-02 |
发明(设计)人: | 彼得·A·伯克;沙丽·豪斯;萨德哈玛·C·沙斯特瑞 | 申请(专利权)人: | 半导体元件工业有限责任公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L21/82;H01L21/768;H01L23/522;H01L23/532;H01L27/06 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 秦晨 |
地址: | 美国亚*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种半导体部件以及用于制造该半导体部件的方法。垂直集成的无源器件制造在基片之上。根据一个实施方案,电阻器制造在高于基片的第一层次中,电容器制造在垂直方向高于第一层次的第二层次中,且铜电感器制造在垂直方向高于第二层次的第三层次中。电容器具有铝极板。根据另一个实施方案,电阻器制造在高于基片的第一层次中,铜电感器制造在垂直方向高于第一层次的第二层次中,且电容器制造在垂直方向高于第二层次的第三层次中。电容器可以具有铝极板,或者铜电感器的一部分可以用作其中一个电容器极板。 | ||
搜索关键词: | 半导体 部件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种制造半导体部件的方法,包括以下步骤:提供基片;在所述基片之上的第一层次处形成电容器;其中形成所述电容器的步骤包括:在所述基片之上形成介电材料的第一层;在所述介电材料的第一层之上形成导电材料的第一层,所述导电材料的第一层具有第一部分和第二部分;在所述导电材料的第一层之上形成介电材料的第二层;在所述介电材料的第二层之上形成导电材料的第二层;在所述第一层次之上的第二层次处形成电感器,其中所述电容器电感器中的至少一个包括镶嵌结构,并且其中形成所述电感器的步骤包括:在所述导电材料的第二层之上形成介电材料的第三层;在所述介电材料的第三层中形成至少一个镶嵌开口;和在所述至少一个镶嵌开口中形成铜;以及从所述基片或在所述基片之上形成电阻器。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于半导体元件工业有限责任公司,未经半导体元件工业有限责任公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201110159383.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造