[发明专利]具有敷镀通孔的结构元件有效

申请号：	201110159398.X	申请日：	2011-06-07
公开（公告）号：	CN102280392A	公开（公告）日：	2011-12-14
发明（设计）人：	J·赖因穆特	申请（专利权）人：	罗伯特·博世有限公司
主分类号：	H01L21/60	分类号：	H01L21/60;H01L23/48;H01L23/50
代理公司：	永新专利商标代理有限公司 72002	代理人：	侯鸣慧
地址：	德国斯***	国省代码：	德国;DE
权利要求书：	查看更多	说明书：	查看更多
摘要：	本发明涉及一种用于制造具有敷镀通孔的结构元件的方法。该方法包括提供衬底(120)、在衬底(120)上构成绝缘层(130)并且使绝缘层(130)结构化，其中至少在给定的沟道蚀刻区域(131，132)中去除绝缘层(130)，该沟道蚀刻区域包围衬底区域(125)。本方法还包括执行蚀刻过程，其中结构化的绝缘层(130)用于掩蔽，以便去除在沟道蚀刻区域(131，132)中的衬底材料并且产生包围衬底区域(125)的沟道结构(140)。本方法还包括在绝缘层(130)上构成金属层(150)，沟道结构(140)通过金属层封闭。本发明还涉及一种具有敷镀通孔的结构元件。
搜索关键词：	具有敷镀通孔结构元件
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【主权项】：

用于制造具有敷镀通孔的结构元件的方法，包括方法步骤：提供衬底(120)；在所述衬底(120)上构成绝缘层(130)；使所述绝缘层(130)结构化，其中，至少在给定的沟道蚀刻区域(131，132)中去除所述绝缘层(130)，所述沟道蚀刻区域包围衬底区域(125)；执行蚀刻过程，其中，所述结构化的绝缘层(130)用于掩蔽，以便去除在所述沟道蚀刻区域(131，132)中的衬底材料并且产生包围所述衬底区域(125)的沟道结构(140)；和在所述绝缘层(130)上构成金属层(150)，通过所述金属层封闭所述沟道结构(140)。

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H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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