[发明专利]纳米线制造方法有效
| 申请号： | 201110159421.5 | 申请日： | 2011-06-14 |
| 公开（公告）号： | CN102826504A | 公开（公告）日： | 2012-12-19 |
| 发明（设计）人： | 罗军;赵超;钟汇才;李俊峰 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | B82B3/00 | 分类号： | B82B3/00;B82Y40/00;G03F7/00 |
| 代理公司： | 北京蓝智辉煌知识产权代理事务所(普通合伙) 11345 | 代理人： | 陈红 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种纳米线制造方法，包括：在衬底上依次形成第一垫氧层、硅层、第二垫氧层、牺牲层和盖层的堆叠；刻蚀所述盖层和牺牲层以形成牺牲层开口，直至露出所述第二垫氧层；在所述牺牲层开口中以及所述牺牲层上形成第二盖层；各向异性刻蚀所述第二盖层以形成纳米侧墙图形；以及以所述纳米侧墙图形为掩模，各向异性刻蚀所述硅层以形成硅纳米线。依照本发明的纳米线制造方法，利用牺牲层将其侧壁的盖层图形转移到下方的结构上，也即采用了侧墙转移光刻技术，无需昂贵的光刻设备且与主流CMOS技术兼容因而大幅度降低了制造成本，此外能很好地控制硅纳米线的尺寸和均匀性，从而可以得到10nm以下小尺寸的硅纳米线。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种纳米线制造方法，包括：在衬底上依次形成第一垫氧层、硅层、第二垫氧层、牺牲层和盖层的堆叠；刻蚀所述盖层和牺牲层以形成牺牲层开口，直至露出所述第二垫氧层；在所述牺牲层开口中以及所述牺牲层上形成第二盖层；各向异性刻蚀所述第二盖层以形成纳米侧墙图形；以及以所述纳米侧墙图形为掩模，各向异性刻蚀所述硅层以形成硅纳米线。
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