[发明专利]形成于SOI衬底上的静态随机存取存储器有效
| 申请号： | 201110159604.7 | 申请日： | 2011-06-14 |
| 公开（公告）号： | CN102298956A | 公开（公告）日： | 2011-12-28 |
| 发明（设计）人： | 胡剑 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G11C5/06 | 分类号： | G11C5/06;H01L27/12 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明的形成于绝缘体上硅衬底上的静态随机存取存储器采用SOI衬底，第一上拉晶体管(PU-1)同第一下拉晶体管(PD-1)的漏极之间通过SOI衬底的第一连接有源区SL-1相连，同时第一连接有源区SL-1同所述第一传输门晶体管(PG-1)的源极相连；第二上拉晶体管(PU-2)同第二下拉晶体管(PD-2)的漏极之间通过SOI衬底的第二连接有源区SL-2相连，同时第二连接有源区SL-2同第二传输门晶体管(PG-2)的源极相连，无需采用第一金属层实现各个晶体管的互连，从而节省了一个金属层。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 soi 衬底 静态 随机存取存储器 | ||
【主权项】：
一种形成于SOI衬底上的静态随机存取存储器，包括多个静态随机存取存储单元，其特征在于，所述每个静态随机存取存储单元包括：第一上拉晶体管和第二上拉晶体管、第一下拉晶体管和第二下拉晶体管、第一传输门晶体管和第二传输门晶体管、第一金属层、位于所述第一金属层之上的第二金属层以及位于所述第二金属层之上的第三金属层；所述晶体管均形成在SOI衬底的有源区上；所述第一上拉晶体管同所述第一下拉晶体管的漏极之间通过所述SOI衬底的第一连接有源区相连，同时所述第一连接有源区同所述第一传输门晶体管的源极相连；所述第二上拉晶体管同所述第二下拉晶体管的漏极之间通过所述SOI衬底的第二连接有源区相连，同时所述第二连接有源区同所述第二传输门晶体管的源极相连；所述第一金属层提供位线及互补位线连接；同时通过接触孔形成的触点将第一上拉晶体管的漏极与第二上拉晶体管的栅极相连接，通过接触孔形成的触点将第二上拉晶体管的漏极与第一上拉晶体管的栅极相连接；所述第二金属层提供字线连接，所述第三金属层提供电源线Vdd和接地线Vss连接。
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