[发明专利]TFT-LCD阵列基板及其驱动方法无效
| 申请号： | 201110159896.4 | 申请日： | 2008-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN102201215A | 公开（公告）日： | 2011-09-28 |
| 发明（设计）人： | 马占洁 | 申请（专利权）人： | 北京京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | G09G3/36 | 分类号： | G09G3/36 |
| 代理公司： | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人： | 申健 |
| 地址： | 100176 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种TFT-LCD阵列基板及其驱动方法。一种阵列基板包括基板，基板上形成有以矩阵方式排列的像素区域，每个像素区域形成有位于奇数列的第一像素电极和第一薄膜晶体管、位于偶数列的第二像素电极和第二薄膜晶体管，每个像素区域内形成有第一栅线和第二栅线，第一栅线与第一薄膜晶体管的栅极连接，第二栅线与第二薄膜晶体管的栅极连接；每个像素区域内形成有一条数据线，数据线分别与第一薄膜晶体管的源极和第二个薄膜晶体管的源极连接。本发明减少数据线数量和数据驱动芯片数量或其管脚数量，或者，减少栅线数量和扫描驱动芯片数量或其管脚数量，降低了TFT-LCD的生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | tft lcd 阵列 及其 驱动 方法 | ||
【主权项】：
一种TFT‑LCD阵列基板，包括基板，所述基板上形成有矩阵方式排列的像素区域，每个像素区域内形成有位于奇数列的第一像素电极和第一薄膜晶体管、位于偶数列的第二像素电极和第二薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管的漏极与第一像素电极连接，所述第二薄膜晶体管的漏极与第二像素电极连接；其特征在于，每个像素区域内形成有第一数据线和第二数据线，所述第一数据线与第一薄膜晶体管的源极连接，所述第二数据线与第二薄膜晶体管的源极连接；每个像素区域内形成有一条栅线，所述栅线分别与所述第一薄膜晶体管的栅极和第二个薄膜晶体管的栅极连接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京京东方光电科技有限公司，未经北京京东方光电科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110159896.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
