[发明专利]一种监测由于湿法刻蚀造成有源区损伤的测试方法有效
| 申请号： | 201110160315.9 | 申请日： | 2011-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN102420099A | 公开（公告）日： | 2012-04-18 |
| 发明（设计）人： | 姬峰;胡友存;陈玉文;张亮 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人： | 王敏杰 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明一般涉及半导体制造领域中的一种监测测试方法，更确切的说，本发明涉及一种监测由于湿法刻蚀造成有源区损伤的测试方法。本发明监测由于湿法刻蚀造成有源区损伤的测试方法，通过将晶圆阱区中的三重栅层和双栅层实现交叠，在三重栅层和双栅层交叠的地方，能明显观察到很多湿法刻蚀对有源区造成的损伤，以使得在工艺研发阶段及时发现由于湿法刻蚀造成的有源区损伤问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 监测 由于 湿法 刻蚀 造成 有源 损伤 测试 方法 | ||
【主权项】：
一种监测由于湿法刻蚀造成有源区损伤的测试方法，其特征在于，包括以下步骤：在一晶圆阱区的离子注入区域生长第一类氧化层，进行第一步刻蚀，刻蚀所述第一类氧化层以显影开要被刻蚀的第一区域；完成第一步刻蚀工艺后，并生长第二类氧化层于所述第一区域上，进行第二步刻蚀，刻蚀所述第二类氧化层以显影开要被刻蚀的所述第二区域，进行第二步刻蚀；其中所述第一区域与所述第二区域有交叠部分。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
