[发明专利]一种改善半导体晶片翘曲的方法无效
| 申请号： | 201110160329.0 | 申请日： | 2011-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN102420176A | 公开（公告）日： | 2012-04-18 |
| 发明（设计）人： | 陈玉文;张亮;李磊;胡友存;姬峰 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/302 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人： | 王敏杰 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种半导体制备技术领域，更确切的说，本发明涉及一种改善半导体晶片翘曲的方法。首先于一已电镀铜的晶圆基材背面进行清洁操作；然后在所述的晶圆基材背面生长应力薄层；接着对所得的晶圆表面进行化学机械研磨平坦化去除多余金属；最后在所述晶圆的电镀铜表面淀积阻挡层获得完整的铜互连结构。本发明解决了晶片的翘曲问题，提高晶片良率，且工艺简单，生产效率高，成本低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改善 半导体 晶片 方法 | ||
【主权项】：
一种改善半导体晶片翘曲的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1、于一已电镀铜的晶圆基材背面进行清洁操作；步骤2、在步骤1中所述的晶圆基材背面生长一层应力薄层；步骤3、对步骤2所得的晶圆表面进行化学机械研磨去除多余金属；步骤4、在所述晶圆的电镀铜表面淀积阻挡层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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