[发明专利]磁控溅射镀膜装置无效
申请号: | 201110160432.5 | 申请日: | 2011-06-15 |
公开(公告)号: | CN102212779A | 公开(公告)日: | 2011-10-12 |
发明(设计)人: | 赵红艳;钱涛 | 申请(专利权)人: | 星弧涂层科技(苏州工业园区)有限公司 |
主分类号: | C23C14/04 | 分类号: | C23C14/04;C23C14/35 |
代理公司: | 南京苏科专利代理有限责任公司 32102 | 代理人: | 陆明耀;陈忠辉 |
地址: | 215022 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明揭示了一种磁控溅射镀膜装置,包括一真空室,真空室的侧壁上设有至少一个磁控溅射阴极,真空室内设有圆形的基片转架,基片转架上竖直放置有至少一个的基片,基片的外侧的基片转架上套设有圆柱状的遮蔽罩;遮蔽罩上开设有与所述磁控溅射阴极对应的纵向开口,纵向开口的开口形状为双曲线,纵向开口的双曲线与磁控溅射阴极的沉积速率空间曲线一致。本发明使需要被涂层的基片始终处在磁控溅射阴极的均匀镀膜有效区域内,提高了平面矩形磁控溅射镀膜的纵向均匀性,解决了基片上薄膜厚度不均匀的问题;结构简单,生产成本低,生产效率高,镀膜均匀性效果好。 | ||
搜索关键词: | 磁控溅射 镀膜 装置 | ||
【主权项】:
一种磁控溅射镀膜装置,包括一真空室,所述真空室的侧壁上设有至少一个磁控溅射阴极,其特征在于:所述真空室内设有圆形的基片转架,所述基片转架上竖直放置有至少一个的基片,所述基片的外侧的基片转架上套设有圆柱状的遮蔽罩;所述遮蔽罩上开设有与所述磁控溅射阴极对应的纵向开口,所述纵向开口的开口形状为双曲线,所述纵向开口的双曲线与所述磁控溅射阴极的沉积速率空间曲线一致。
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