[发明专利]铸造法生产类似单晶硅锭晶种制作方法

摘要

本发明公开了一种铸造法生产类似单晶硅锭晶种制作方法，涉及晶种制作方法，采用的单晶硅晶向为<100>，电阻率≥0.1Ω•cm，极性不限；依次进行以下工序：a.该圆柱状单晶硅的直径选择在130～250mm之间；b.断棱处反切50～350mm；c.采用开方机将单晶硅加工成方棒；d.采用平磨机对方棒四边进行抛光；e.采用截断机将硅单晶切割成每块高度在5～50mm的晶块；f.采用化学抛光或机械抛光，对晶块进行抛光，去除表面损伤层；清洗干净，烘干包装，待用。本发明的有益效果在于：通过本方法的控制，可有效地减少晶种引起的缺陷，使得铸锭炉生长类似单晶的质量提高。经试验表明，电池片转换效率可上升0.1%左右。

主权项

铸造法生产类似单晶硅锭晶种制作方法，采用的单晶硅晶向为<100>，电阻率≥0.1Ω•cm，极性不限；其特征在于依次进行以下工序：a该圆柱状单晶硅的直径选择在130～250mm之间；b断棱处反切50～350mm；c采用开方机将单晶硅加工成方棒；d采用平磨机对方棒四边进行抛光；e采用截断机将硅单晶切割成每块高度在5～50mm的晶块；f采用化学抛光或机械抛光，对晶块进行抛光，去除表面损伤层；清洗干净，烘干包装，待用。