[发明专利]液晶显示器阵列基板及其制造方法、液晶显示器有效

专利信息
申请号: 201110160928.2 申请日: 2011-06-15
公开(公告)号: CN102654698A 公开(公告)日: 2012-09-05
发明(设计)人: 刘翔;薛建设 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司
主分类号: G02F1/1362 分类号: G02F1/1362;G02F1/1368;G03F7/00;H01L29/786;H01L21/77
代理公司: 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 代理人: 申健
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开一种液晶显示器阵列基板及其制造方法、液晶显示器,主要针对现有阵列基板制造过程复杂,生产效率低而设计。本发明所述阵列基板包括:基板、形成在基板上的栅极扫描线和数据线以及由栅极扫描线和数据线交叉形成的呈矩阵形式排列的像素区域,每一像素区域至少包括一个薄膜晶体管器件和像素电极;所述薄膜晶体管器件,包括:栅电极、金属氧化物半导体层、保护层、源电极和漏电极,栅电极与金属氧化物半导体层之间设置有栅极绝缘层,金属氧化物半导体层上设有保护层,源电极和漏电极分别经设置在保护层上的过孔与金属氧化物半导体层连接。本发明所述阵列基板制造过程简单,生产效率高且避免了形成源漏电极时对金属氧化物半导体层的破坏。
搜索关键词: 液晶显示器 阵列 及其 制造 方法
【主权项】:
一种液晶显示器阵列基板,包括:基板、形成在基板上的栅极扫描线和数据线以及由栅极扫描线和数据线交叉形成的呈矩阵形式排列的像素区域,每一像素区域至少包括一个薄膜晶体管器件和像素电极;其特征在于:所述薄膜晶体管器件,包括:栅电极、金属氧化物半导体层、保护层、源电极和漏电极,所述栅电极与所述金属氧化物半导体层之间设置有栅极绝缘层,所述金属氧化物半导体层上设有保护层,所述源电极和所述漏电极分别经设置在所述保护层上的过孔与所述金属氧化物半导体层连接。
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