[发明专利]封装基板及其制造方法有效
| 申请号： | 201110161551.2 | 申请日： | 2011-06-02 |
| 公开（公告）号： | CN102244060A | 公开（公告）日： | 2011-11-16 |
| 发明（设计）人： | 朴珠炫;洪荣文;金锡奉 | 申请（专利权）人： | 日月光半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L23/498;H01L21/48 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 陆勍 |
| 地址： | 中国台湾高雄市*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种封装基板及其制造方法。封装基板包括一第一介电层、一第一金属层、一第二金属层、一第三金属层、一第二介电层及一第四金属层。第一介电层具有一第一凹槽、一第二凹槽及一第三凹槽。第三凹槽位于第一凹槽及第二凹槽之间。第一金属层内埋于第一凹槽内。第二金属层内埋于第二凹槽内。第三金属层内埋于第三凹槽内。第三金属层的上表面低于第一介电层的上表面。第二介电层设置于第二凹槽内，并覆盖至少部份的第三金属层。第四金属层覆盖部份的第一介电层及第二介电层，并电性连接第一金属层及第二金属层。 | ||
| 搜索关键词： | 封装 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种封装基板，包括：一第一介电层，具有一第一凹槽、一第二凹槽及一第三凹槽，该第三凹槽位于该第一凹槽及该第二凹槽之间；一第一金属层，内埋于该第一凹槽内；一第二金属层，内埋于该第二凹槽内；一第三金属层，内埋于该第三凹槽内，该第三金属层的上表面低于该第一介电层的上表面；一第二介电层，设置于该第三凹槽内，并覆盖至少部份的该第三金属层；以及一第四金属层，覆盖部份的该第一介电层及该第二介电层，并电性连接该第一金属层及该第二金属层。
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