[发明专利]一种三氧化钨晶体晶面可控生长的制备方法有效
| 申请号： | 201110162483.1 | 申请日： | 2011-06-14 |
| 公开（公告）号： | CN102719891A | 公开（公告）日： | 2012-10-10 |
| 发明（设计）人： | 刘岗;谢英鹏;成会明 | 申请（专利权）人： | 中国科学院金属研究所 |
| 主分类号： | C30B29/16 | 分类号： | C30B29/16;C30B7/10 |
| 代理公司： | 沈阳优普达知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 21234 | 代理人： | 张志伟 |
| 地址： | 110016 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明涉及三氧化钨晶体领域，具体为一种三氧化钨晶体晶面可控生长的制备方法，通过湿化学过程以硼化钨为前驱体水热生长晶面暴露比例不同三氧化钨晶体，能够解决针对不同的反应体系提供具有不同的氧化还原能力的三氧化钨光催化剂的问题。将前驱体装入有硝酸水溶液的反应釜中，经加热处理，可得到{002}晶面占优的三氧化钨晶体。将前驱体装入有氢氟酸水溶液或氢氟酸乙醇溶液或氢氟酸水、乙醇混合溶液的反应釜中，经加热处理，可得到氢钨青铜立方晶体，氢钨青铜晶体经空气中热处理，可得到{002}、{200}、{020}晶面比例相等的三氧化钨晶体。从而，制备出具有规则形貌的、晶面比例不同的、具有很好光解水产氧能力的三氧化钨晶体。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氧化钨 晶体 可控 生长 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种三氧化钨晶体晶面可控生长的制备方法，其特征在于：以未经任何处理的商用硼化钨为前驱体，将其放入装有硝酸水溶液的反应釜中，反应釜密封后，放入烘箱加热处理，取出反应样品，用去离子水清洗并烘干，从而在硝酸体系中得到(002)晶面占优的三氧化钨晶体；或以未经任何处理的商用硼化钨为前驱体，将其放入装有氢氟酸水溶液或氢氟酸的乙醇溶液或氢氟酸的水、乙醇混合溶液的反应釜中，反应釜密封后，放入烘箱加热处理，取出反应样品，用去离子水清洗并烘干，在空气中热处理，从而在氢氟酸体系中得到三种晶面比例相等的三氧化钨晶体。
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