[发明专利]一种硫掺杂生长带隙可调的ZnSO合金薄膜的方法有效
| 申请号： | 201110163514.5 | 申请日： | 2011-06-17 |
| 公开（公告）号： | CN102226264A | 公开（公告）日： | 2011-10-26 |
| 发明（设计）人： | 朱丽萍;蒋杰;周惟舜;曹铃;李洋;叶志镇 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | C23C14/06 | 分类号： | C23C14/06;C23C14/28 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人： | 韩介梅 |
| 地址： | 310027 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开的S掺杂生长带隙可调的ZnSO合金薄膜的方法，采用的是脉冲激光沉积法。靶材是由纯氧化锌和纯硫化锌粉末混合后液压成型的陶瓷靶,其中硫化锌的摩尔含量为10~40%；然后在脉冲激光沉积装置的生长室中，真空度为1×10-4～1×10-3Pa下，激光频率为3~10Hz,生长温度为300~500℃,在衬底上生长带隙可调的ZnSO合金薄膜。本发明方法可以实现实时掺杂,掺杂浓度通过调节生长温度和靶材中S的摩尔含量来控制。采用本发明方法制备的ZnSO合金薄膜带隙可调，具有良好的光学性能，重复性和稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 掺杂 生长 可调 znso 合金 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
一种硫掺杂生长带隙可调的ZnSO合金薄膜的方法，其特征是采用脉冲激光沉积法，包括如下步骤：1）称量纯氧化锌和纯硫化锌粉末, 其中硫化锌的摩尔含量为10~40%, 经混料后液压成型，制得靶材； 2）将清洗后的衬底放入脉冲激光沉积装置的生长室中，靶材与衬底之间的距离为4.5～5.5 cm, 生长室背底真空度抽至1×10‑4～1×10‑3 Pa，然后加热衬底，使衬底温度为300~500 ℃，激光频率为3~10 Hz, 激光能量为250～350 mJ，进行生长，生长后的薄膜以3～10℃/min降温速率冷却至室温。
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