[发明专利]一种斜向ZnO纳米线阵列及其生长方法无效
| 申请号： | 201110163536.1 | 申请日： | 2011-06-17 |
| 公开（公告）号： | CN102226297A | 公开（公告）日： | 2011-10-26 |
| 发明（设计）人： | 叶志镇;张宏海;吕建国;杨晓朋;黄俊;李洋 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | C30B29/16 | 分类号： | C30B29/16;C30B23/02;B82Y40/00;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人： | 韩介梅 |
| 地址： | 310027 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开的斜向ZnO纳米线阵列，其ZnO纳米线与衬底表面呈55～65°夹角，向相反的方向交叉有序排列。采用热蒸发法生长。本发明的斜向ZnO纳米线阵列的生长方法简单易行，重复性高，通过调节源材料加热温度、衬底与源材料的距离、源材料的质量和生长时间，可以制备尺寸和密度可控且分布均匀的斜向ZnO纳米线阵列。所制备的斜向ZnO纳米线阵列具有高度的有序性和高的晶体质量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 zno 纳米 阵列 及其 生长 方法 | ||
【主权项】：
一种斜向ZnO纳米线阵列，其特征在于所述的ZnO纳米线与衬底表面呈55～65°夹角，向相反的方向交叉有序排列。
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