[发明专利]高效薄膜太阳电池的制造方法

摘要

本发明涉及薄膜太阳电池的制造方法，具体涉及一种高效薄膜太阳电池的制造方法。它选用超薄、高透光率超白浮法玻璃做为玻璃基板，通过高强度热熔封装材料粘接背板玻璃制备成高透光率、高效薄膜太阳电池。使用本方法制造的薄膜太阳电池光电转换效率更高，生产成本更低，可以使薄膜电池的应用更加广泛，从而拓展了薄膜电池的市场。通过改变玻璃基板的厚度及背面封装材料，既保证了薄膜太阳电池的质量和安全性能，又提高了薄膜太阳电池的转换效率。本制造方法把玻璃基板的厚度由现有的3.2mm变更为0.4~1mm，其光透过率根据厚度不同在95%~99%之间，远远高于3.2mm厚普通超白浮法玻璃90%的光透过率。

主权项

高效薄膜太阳电池的制造方法，其特征在于：它选用超薄、高透光率超白浮法玻璃做为玻璃基板，通过高强度热熔封装材料粘接背板玻璃制备成高透光率、高效薄膜太阳电池，其具体包括以下步骤：1）选择厚度为0.4~1mm、光透过率为95%~99%的超白、高强度低铁浮法玻璃做为玻璃基板；2）用LPCVD或磁控溅射在此玻璃基板上制备TCO；膜层厚度：500~700nm；方块电阻：小于15Ω/□；光透率：波长400～800 nm的光透过率要大于90%；3）对玻璃基板上的TCO膜层激光刻划；4）在TCO膜层上制备PIN电池层，双结的连续制备PIN/PIN膜层，制备工艺如下： 制备p层工艺参数为：使用B(CH4)3、SiH4、CH4、H2气体，沉积温度180℃~210℃，功率密度0.2~0.35W/cm2，氢稀释比R： H2/ SiH4为23~35，硅烷与甲烷流量比为10:(1~1.35)，沉积压力为100~140pa；制备I层工艺参数为：使用SiH4、H2气体，其中H2/ SiH4比之R为19～21，沉积温度180℃~220℃，功率密度0.29~0.55W/cm2，沉积压力为110~155pa；制备N层工艺参数为：使用PH3、SiH4、H2气体，其中H2/SiH4比之R为21～32，沉积温度180℃~210℃，功率密度0.25~0.45W/cm2，沉积压力为110~150pa；5）激光刻划PIN电池膜层；6）用磁控溅射制备电池背电极，包括AZO膜层、Al膜层和NiV膜层；AZO膜层厚度：80~100nm；方块电阻：小于280 Ω/□；Al膜层厚度：250~300nm；NiV膜层厚度：80~110nm；7）激光刻划背电极，激光清边机清边，超声波清洗；8）粘接：选择高强度热熔粘接材料将制备完的太阳电池和4mm厚全钢化背板玻璃叠压粘接在一起；9）预压；利用辊压机将叠压粘接在一起的太阳电池和背板玻璃进行预压；10） 封装：将预压后的电池板通过高压釜层压封装，经过清理、检验、检测、包装等工序就制造出合格的高效薄膜太阳电池。