[发明专利]金属硅化物形成方法无效
| 申请号： | 201110165003.7 | 申请日： | 2011-06-17 |
| 公开（公告）号： | CN102832112A | 公开（公告）日： | 2012-12-19 |
| 发明（设计）人： | 鲍宇;荆学珍;平延磊;肖海波 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/768;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 牛峥;王丽琴 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种金属硅化物形成方法，在形成金属硅化物阻挡层之前在硅衬底上先沉积一层氟硅玻璃薄膜作为缓冲层，氟硅玻璃薄膜中的氟元素可以扩散入硅衬底中，氟元素的引入可抑制在生成金属硅化物初期时金属突然集中进入硅衬底中，并且可以固定已经扩散到硅衬底中的金属元素，进而减小缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | 金属硅 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种金属硅化物形成方法，包括：在硅衬底上沉积一层氟硅玻璃薄膜作为缓冲层；在缓冲层上沉积金属硅化物阻挡层；在金属硅化物阻挡层上形成与硅衬底所需生成硅化物的预定区域对应的图案化光刻胶；通过所述图案化光刻胶作为掩膜进行刻蚀，暴露出硅衬底上需要生成金属硅化物的预定区域并去除光刻胶；在刻蚀后的硅衬底结构上沉积一层金属层，并进行第一次退火处理；通过刻蚀去除未与硅衬底反应的金属后进行第二次退火处理。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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