[发明专利]一种InP HBT器件侧墙的制备方法

摘要

本发明公开了一种InP HBT器件侧墙的制备方法，属于半导体工艺技术领域。该方法包括在InGaAs盖帽层光刻，形成发射极金属生长区域；向InGaAs盖帽层上蒸发金属，形成金属层；将发射极金属生长区域之外的金属剥离；对InGaAs盖帽层进行腐蚀，使残留的InGaAs盖帽层与发射极金属层重合；对InP发射极层进行刻蚀，使残留的InP发射极层与残留的InGaAs盖帽层重合；从而，发射极金属层，残留的InGaAs盖帽层，以及，残留的InP发射极层堆迭后的侧壁形成发射极台面；在发射极台面侧面生长一层保护介质，并对保护介质进行刻蚀，从而形成发射极台面侧墙。该方法可以使自对准工艺突破晶向限制，实现在不同晶向条件下对InP HBT器件的制备，保持自对准工艺的优点。

主权项

一种InP HBT器件侧墙的制备方法，所述InP HBT器件外延片的自下至上依次包括InP Substrate层、InGaAs层、InP层、InGaAs层、InP发射极层和InGaAs盖帽层，其特征在于，包括以下步骤：在所述InGaAs盖帽层光刻，形成发射极金属生长区域；向已经形成发射极金属生长区域的所述InGaAs盖帽层上蒸发金属，形成金属层；将已经形成金属层的所述InGaAs盖帽层上，处于所述发射极金属生长区域之外的金属剥离，形成发射极金属层；对已经形成发射极金属层的InP HBT器件外延片的InGaAs盖帽层进行腐蚀，使残留的InGaAs盖帽层与所述发射极金属层重合；对已经腐蚀完InGaAs盖帽层的InP HBT器件外延片的InP发射极层进行刻蚀，使残留的InP发射极层与所述残留的InGaAs盖帽层重合；从而，所述发射极金属层，所述残留的InGaAs盖帽层，以及，所述残留的InP发射极层堆迭后的侧壁形成发射极台面；在所述发射极台面侧面生长一层保护介质，并对所述保护介质进行刻蚀，从而形成发射极台面侧墙。