[发明专利]一种干冰微粒喷射清洗装置有效
申请号: | 201110166485.8 | 申请日: | 2011-06-20 |
公开(公告)号: | CN102836844A | 公开(公告)日: | 2012-12-26 |
发明(设计)人: | 郭新贺;景玉鹏 | 申请(专利权)人: | 中国科学院微电子研究所 |
主分类号: | B08B7/00 | 分类号: | B08B7/00 |
代理公司: | 北京市德权律师事务所 11302 | 代理人: | 王建国 |
地址: | 100029 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种干冰微粒喷射清洗装置,属于半导体清洗技术领域。该装置包括CO2供应系统、清洗系统和真空系统;CO2供应系统为清洗系统提供清洗所需CO2,真空系统为清洗系统提供真空环境;CO2供应系统和真空系统分别连接于清洗系统。利用该装置时,清洗效率高,对硅片表面不会产生损伤,节省大量水资源,操作简单,无环境污染,可以使硅片表面达到高洁净度。 | ||
搜索关键词: | 一种 干冰 微粒 喷射 清洗 装置 | ||
【主权项】:
一种干冰微粒喷射清洗装置,其特征在于,包括清洗系统、CO2供应系统和真空系统;所述CO2供应系统为所述清洗系统提供清洗所需CO2,所述真空系统为所述清洗系统提供真空环境;所述CO2供应系统和所述真空系统分别连接于所述清洗系统。
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