[发明专利]一种ZnO基稀磁薄膜及其制备方法有效
| 申请号： | 201110166520.6 | 申请日： | 2011-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN102360710A | 公开（公告）日： | 2012-02-22 |
| 发明（设计）人： | 潘峰;王钰言;曾飞;陈光 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | H01F10/32 | 分类号： | H01F10/32;H01F41/14;H01F41/18 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 关畅 |
| 地址： | 100084 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种ZnO基稀磁薄膜及其制备方法。该ZnO基稀磁薄膜，包括基片、位于基片上的稀磁薄膜和反铁磁薄膜；其中，构成稀磁薄膜的材料为Zn1-xTMxO，所述Zn1-xTMxO中，x为0.2％-10.0％，优选3％-5％，TM为过渡金属元素；构成反铁磁薄膜的材料选自过渡金属氧化物中的至少一种。本发明通过在ZnO基稀磁薄膜上沉积一薄层反铁磁薄膜或在反铁磁薄膜上沉积一层稀磁薄膜来提高ZnO基稀磁薄膜的室温铁磁性，利用室温铁磁性TM:ZnO薄膜和反铁磁薄膜的界面近邻效应，使双层膜结构的室温饱和平均原子磁矩(μB/Co)相对单层稀磁薄膜结构的平均原子磁矩明显增大。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 zno 基稀磁 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种ZnO基稀磁薄膜，包括基片、位于所述基片上的稀磁薄膜和反铁磁薄膜；其中，构成所述稀磁薄膜的材料为Zn1‑xTMxO，所述Zn1‑xTMxO中，x为0.2％‑10.0％，TM为过渡金属元素；构成所述反铁磁薄膜的材料选自过渡金属氧化物中的至少一种。
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