[发明专利]一种半导体结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201110166632.1 | 申请日： | 2011-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN102842616A | 公开（公告）日： | 2012-12-26 |
| 发明（设计）人： | 尹海洲;朱慧珑;骆志炯 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所;北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京汉昊知识产权代理事务所(普通合伙) 11370 | 代理人： | 朱海波 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体结构，该结构包括衬底、半导体基体、半导体辅助基体层、空腔、栅极堆叠、侧墙、源/漏区，其中所述栅极堆叠位于所述半导体基体之上，所述侧墙位于所述栅极堆叠的侧壁上，所述源/漏区嵌于所述半导体基体中，并位于所述栅极堆叠的两侧，所述空腔嵌于所述衬底中，所述半导体基体悬置所述空腔上方，在沿栅极长度的方向上，所述半导体基体中间的厚度大于其两侧的厚度，在沿栅极宽度的方向上，所述半导体基体与所述衬底相连，所述半导体辅助基体层位于所述半导体基体的侧壁上，所述半导体辅助基体层与所述源漏区具有相反的掺杂类型，且其掺杂浓度高于所述半导体基体的掺杂浓度。相应地，本发明还提供了一种半导体结构的制造方法。利于抑制短沟效应，提高器件性能，并降低成本，简化工艺。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体结构，该结构包括衬底、半导体基体、半导体辅助基体层、空腔、栅极堆叠、侧墙、源/漏区，其中：所述栅极堆叠位于所述半导体基体之上；所述侧墙位于所述栅极堆叠的侧壁上；所述源/漏区嵌于所述半导体基体中，并位于所述栅极堆叠的两侧；所述空腔嵌于所述衬底中；所述半导体基体悬置于所述空腔上方，在沿栅极长度的方向上，所述半导体基体中间的厚度大于其两侧的厚度，在沿栅极宽度的方向上，所述半导体基体两侧与所述衬底相连；所述半导体辅助基体层位于所述半导体基体的侧壁上，所述半导体辅助基体层与所述源/漏区具有相反的掺杂类型，且其掺杂浓度高于所述半导体基体的掺杂浓度。
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