[发明专利]一种金属掺杂全空间或准全空间光子晶体制作方法无效
| 申请号： | 201110166936.8 | 申请日： | 2011-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN102279518A | 公开（公告）日： | 2011-12-14 |
| 发明（设计）人： | 任芝;李松涛 | 申请（专利权）人： | 华北电力大学(保定) |
| 主分类号： | G03F7/00 | 分类号： | G03F7/00;G03F7/004 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 071003 河*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 一种纳米金属掺杂全空间或准全空间光子晶体制作方法，包括以下步骤：1)在制作光刻胶的过程中使用纳米插层法将纳米金属掺杂进光刻胶中；2)将上述纳米金属掺杂的光刻胶在基板上进行甩胶，获得制备光子晶体所需的带胶基板；3)使用上述带胶基板进行光子晶体的制备。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 金属 掺杂 间或 空间 光子 晶体 制作方法 | ||
【主权项】：
一种纳米金属掺杂全空间或准全空间光子晶体制作方法，包括以下步骤：1)在制作光刻胶的过程中使用纳米插层法将纳米金属掺杂进光刻胶中；2)将上述纳米金属掺杂的光刻胶在基板上进行甩胶，获得制备光子晶体所需的带胶基板；3)使用上述带胶基板进行光子晶体的制备。
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