[发明专利]使硅层结晶的方法和制造薄膜晶体管的方法有效
| 申请号： | 201110167103.3 | 申请日： | 2011-06-16 |
| 公开（公告）号： | CN102290335A | 公开（公告）日： | 2011-12-21 |
| 发明（设计）人： | 朴承圭;李基龙;徐晋旭;郑珉在;郑胤谋;孙榕德;苏炳洙;朴炳建;李吉远;李东炫;朴种力;李卓泳;郑在琓 | 申请（专利权）人： | 三星移动显示器株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;H01L21/02;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 罗正云;王琦 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种使硅层结晶的方法和制造薄膜晶体管的方法，该使硅层结晶的方法包括：在基板上形成催化剂金属层；在所述催化剂金属层上形成催化剂金属压盖图案；在所述催化剂金属压盖图案上形成第二非晶硅层；以及对所述第二非晶硅层进行热处理以形成多晶硅层。 | ||
| 搜索关键词： | 使硅层 结晶 方法 制造 薄膜晶体管 | ||
【主权项】：
一种使硅层结晶的方法，该方法包括：在基板上形成催化剂金属层；在所述催化剂金属层上形成催化剂金属压盖图案；在所述催化剂金属压盖图案上形成第二非晶硅层；以及对所述第二非晶硅层进行热处理以形成多晶硅层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
