[发明专利]太阳能电池及其制造方法有效
申请号: | 201110167246.4 | 申请日: | 2011-06-21 |
公开(公告)号: | CN102842638A | 公开(公告)日: | 2012-12-26 |
发明(设计)人: | 陈永芳;李岱殷;叶冠铭;戴煜暐 | 申请(专利权)人: | 新日光能源科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/0224;H01L31/04 |
代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人: | 赵蓉民 |
地址: | 中国台湾新竹科*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明揭露一种太阳能电池的制造方法,包括以下步骤:提供一基板;将一第一钝化层形成于基板;将一第一导电材料间隔形成于第一钝化层;将一第二钝化层形成于第一钝化层;以及将一第二导电材料形成于第一导电材料及第二钝化层,使间隔的第一导电材料彼此连接。本发明还揭露一种利用上述的制造方法所制成的太阳能电池。本发明利用钝化层及局部背面电场以提升太阳能电池的光电转换效率及产品的可靠度与良率,同时可不需使用高成本的雷射机台设备,因而不具有雷射机台成本昂贵、不利于大量化的生产的缺点,进而能达到降低生产成本,并提高生产效率的功效。 | ||
搜索关键词: | 太阳能电池 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种太阳能电池的制造方法,其特征在于,包括以下步骤:提供一基板;将一第一钝化层形成于所述基板;将一第一导电材料间隔形成于所述第一钝化层;将一第二钝化层形成于所述第一钝化层;以及将一第二导电材料形成于所述第一导电材料及所述第二钝化层,以连接间隔的所述第一导电材料。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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