[发明专利]导电结构的制程无效
申请号: | 201110167309.6 | 申请日: | 2011-06-16 |
公开(公告)号: | CN102394238A | 公开(公告)日: | 2012-03-28 |
发明(设计)人: | 段继贤;陈枝汶;余建城;赖骏凯;许晏华 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77;G02F1/1362 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 曾红 |
地址: | 中国台湾新竹科*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明提出了一种导电结构的制程,应用于一显示面板,包含:提供一基板;形成一绝缘层在基板上;形成多个凹槽在绝缘层里;以及形成导电走线在每一凹槽里。根据本发明所提出的导电结构的制程,可以避免有机光阻流体流经金属壁,使有机光阻流体流经导电走线区时不受导电走线影响,从而使得有机光阻流体得以顺利流过导电走线区,进而可以避免产生放射状斜纹。 | ||
搜索关键词: | 导电 结构 | ||
【主权项】:
一种导电结构的制程,应用于一显示面板,其特征在于,包含:提供一基板;形成一绝缘层在所述基板上;形成多个凹槽在所述绝缘层里;以及形成导电走线在所述每一凹槽里。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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