[发明专利]阵列化镍硅纳米线及镍硅-硅核壳纳米线的制备方法有效
| 申请号： | 201110167445.5 | 申请日： | 2011-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN102263243A | 公开（公告）日： | 2011-11-30 |
| 发明（设计）人： | 杜宁;樊星;吴平;杨德仁 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | H01M4/1395 | 分类号： | H01M4/1395;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 杭州天勤知识产权代理有限公司 33224 | 代理人： | 胡红娟 |
| 地址： | 310027 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种阵列化镍硅纳米线及镍硅-硅核壳纳米线的制备方法，包括：将用于锂离子电池负极基体的金属衬底用盐酸和乙醇分别清洗后干燥备用；通过热丝化学气相沉积装置在清洗过的金属衬底表面生长得到阵列化镍硅纳米线；进一步在得到的阵列化镍硅纳米线的表面通过射频溅射的方法沉积一层厚度可控的硅，得到阵列化镍硅-硅核壳纳米线。金属衬底和生长在金属衬底上的阵列化纳米线材料构成锂离子电池负极。本发明制备方法简单可控，制得的纳米线材料可用于锂离子电池负极并期待获得优异的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 阵列 化镍硅 纳米 硅核壳 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种阵列化镍硅纳米线的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)将用于锂离子电池负极基体的金属衬底用盐酸和乙醇分别清洗，随后干燥备用；(2)通过热丝化学气相沉积装置在经步骤(1)清洗过的金属衬底表面生长阵列化镍硅纳米线，设置硅烷流量为10～1000sccm，氢气流量为10～1000sccm，腔体气压为10～1000Pa，温度为200～1000℃，反应时间为1～300min，得到阵列化镍硅纳米线。
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