[发明专利]带有栅控作用的场发射阴极阵列及其制造方法无效

专利信息
申请号: 201110167483.0 申请日: 2011-06-21
公开(公告)号: CN102386045A 公开(公告)日: 2012-03-21
发明(设计)人: 张永爱;郭太良;叶芸;林金堂;游玉香;郑泳 申请(专利权)人: 福州大学
主分类号: H01J29/04 分类号: H01J29/04;H01J9/02
代理公司: 福州元创专利商标代理有限公司 35100 代理人: 蔡学俊
地址: 350001 福*** 国省代码: 福建;35
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摘要: 发明涉及一种带有栅控作用的场发射阴极阵列,其特征在于:在玻璃基板同一平面设置相互交替的阴极和栅极,栅极是由多列相互平行的栅极电极构成,栅极电极由纵向电极和数个横向带构成,阴极是由多列相互平行的条状阴极电极以及在各列条状阴极电极上交替设置电子发射层和介质层构成,栅极电极上的横向带与相邻的带有电子发射层的阴极电极平行相对。该带有栅控作用的场发射阴极阵列可以实现低压调控,降低场发射阴极阵列的开启电场,提高电子发射的均匀性和电子发射效率,而且结构简单、制造工艺容易、成本低廉、制造过程稳定可靠的优点。本发明还公开一种带有栅控作用的场发射阴极阵列的制造方法。
搜索关键词: 带有 作用 发射 阴极 阵列 及其 制造 方法
【主权项】:
一种带有栅控作用的场发射阴极阵列,包括玻璃基板,设置于玻璃基板上的阴极和栅极,其特征在于:所述的阴极和栅极设置在玻璃基板同一平面上,阴极是由多列相互平行的条状阴极电极以及在各列条状阴极电极上交替设置电子发射层和介质层构成,所述的介质层是等间距地设置在阴极电极上,所述的电子发射层是等间距地设置在未被介质层所覆盖的阴极电极上,所述的栅极是由多列相互平行的栅极电极构成,所述各列的栅极电极由纵向电极和数个横向带构成,所述的栅极电极和阴极电极交替设置在玻璃基板上,所述的位于各列阴极电极的电子发射层与相邻栅极电极的横向带平行相对。
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