[发明专利]一种有序可控纳米硅量子点阵列阻变存储器及其制备方法有效
| 申请号： | 201110167551.3 | 申请日： | 2011-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN102244196A | 公开（公告）日： | 2011-11-16 |
| 发明（设计）人： | 马忠元;陈坤基;徐岭;夏国银;江小帆;杨华峰;徐骏;黄信凡;冯端 | 申请（专利权）人： | 南京大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/28;B82B3/00 |
| 代理公司： | 南京苏科专利代理有限责任公司 32102 | 代理人： | 何朝旭 |
| 地址： | 210039*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种有序可控纳米硅量子点阵列阻变存储器，属于非挥发性存储器技术领域。该存储器包括P+硅衬底材料，其特征在于：还包括附着在衬底材料上的阻变硅量子点多层膜纳米柱阵列，以及分别附着在阻变硅量子点多层膜纳米柱阵列上表面和衬底下表面的上、下电极；阻变多层膜纳米柱阵列内具有绝缘介质层；硅量子点多层膜纳米柱由至少二层镶嵌有纳米硅量子点，且具有不同氮组分的富硅氮化硅薄膜或具有不同氧组分的富硅氧化硅薄膜子层构成。采用本发明后，可以与当前微电子工艺技术相兼容，能够显现出有序可控纳米硅在阻变存储器材料中的优势，达到改善阻变材料开关比和稳定性的目的，使纳米硅量子点切实应用于未来的硅基纳米存储器件中。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 有序 可控 纳米 量子 阵列 存储器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种有序可控硅量子点阵列阻变存储器，包括P+硅衬底材料，其特征在于：还包括附着在所述衬底材料上的阻变硅量子点多层膜纳米柱阵列，以及分别附着在阻变硅量子点多层膜纳米柱阵列上表面和衬底下表面的上、下电极；所述阻变多层膜纳米柱阵列内具有绝缘介质层；所述硅量子点多层膜纳米柱由至少二层镶嵌有纳米硅量子点，且具有不同氮组分的富硅氮化硅薄膜或具有不同氧组分的富硅氧化硅薄膜子层构成。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南京大学，未经南京大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110167551.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种外腔式可调谐激光器
- 下一篇：一种太阳能组件户外曝晒架
