[发明专利]一种无标记电流型苯并(a)芘免疫传感器及其制备方法无效
申请号: | 201110167679.X | 申请日: | 2011-06-21 |
公开(公告)号: | CN102243231A | 公开(公告)日: | 2011-11-16 |
发明(设计)人: | 张岩;魏少红;朱泮民;李晓燕;胡红伟;许军辉;袁英贤 | 申请(专利权)人: | 河南城建学院 |
主分类号: | G01N33/558 | 分类号: | G01N33/558;G01N27/26;G01N27/30 |
代理公司: | 郑州睿信知识产权代理有限公司 41119 | 代理人: | 陈浩 |
地址: | 467036 *** | 国省代码: | 河南;41 |
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摘要: | 本发明公开了一种无标记电流型苯并(a)芘免疫传感器,由玻碳电极和设置在玻碳电极外表面的膜层组构成,该无标记电流型苯并(a)芘免疫传感器的结构为:玻碳电极/普鲁士蓝膜层/第一纳米金膜层/L-半胱氨酸膜层/第二纳米金膜层/苯并(a)芘抗体膜层。本发明提供的无标记电流型苯并(a)芘免疫传感器具有使用方便,灵敏度高,电极重复性良好,修饰层牢固,使用寿命长等优点,使用本发明提供的无标记电流型苯并(a)芘免疫传感器可实现对苯并(a)芘的准确、快速监测。 | ||
搜索关键词: | 一种 标记 电流 免疫 传感器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种无标记电流型苯并(a)芘免疫传感器,其特征在于,由玻碳电极和设置在玻碳电极外表面的膜层组构成,所述膜层组由普鲁士蓝膜层、第一纳米金膜层、L‑半胱氨酸膜层、第二纳米金膜层和苯并(a)芘抗体膜层组成,所述普鲁士蓝膜层与玻碳电极相邻设置,普鲁士蓝膜层上依次设置有第一纳米金膜层、L‑半胱氨酸膜层、第二纳米金膜层和苯并(a)芘抗体膜层,该无标记电流型苯并(a)芘免疫传感器的结构为:玻碳电极/普鲁士蓝膜层/第一纳米金膜层/L‑半胱氨酸膜层/第二纳米金膜层/苯并(a)芘抗体膜层。
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