[发明专利]处理装置及成膜方法有效
申请号: | 201110168440.4 | 申请日: | 2011-06-17 |
公开(公告)号: | CN102286731A | 公开(公告)日: | 2011-12-21 |
发明(设计)人: | 和村有;两角友一朗;佐藤泉;浅利伸二 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;张会华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种处理装置及成膜方法。本发明的处理装置用于对多张被处理体实施规定的处理,包括:处理容器构造,其具有处理容器,在处理空间的一侧设置有喷嘴容纳区域,并且在另一侧形成有排气口,该排气口用于排出由喷嘴容纳区域沿水平方向放出的气体;盖部,其用于堵塞处理容器构造的下端的开口部侧;支承体构造,其用于支承被处理体,并且能够插入到处理容器构造内或从处理容器构造内拔出;气体导入部件,其具有被容纳于喷嘴容纳区域内并用于导入气体的气体喷嘴;排气部件,其具有用于排出处理容器构造内的气氛气体的多个排气系统;加热部件,其用于加热被处理体;控制部件,其用于控制整个装置。 | ||
搜索关键词: | 处理 装置 方法 | ||
【主权项】:
一种处理装置,其用于对多张被处理体实施规定的处理,该处理装置包括:处理容器构造,其在下端设置有开口部,该处理容器构造具有处理容器,该处理容器在内部具有用于容纳上述被处理体的处理空间,在上述处理空间的一侧设置有喷嘴容纳区域,在与上述喷嘴容纳区域相反的一侧设置有狭缝状的排气口;盖部,其用于堵塞上述处理容器构造的下端的上述开口部;支承体构造,其用于支承上述多张被处理体,并且能够插入到上述处理容器构造内或从上述处理容器构造内拔出;气体导入部件,其具有被容纳于上述喷嘴容纳区域内的气体喷嘴;排气部件,其具有用于排出上述处理容器构造内的气氛气体的多个排气系统;加热部件,其用于加热上述被处理体;控制部件,其用于控制上述气体导入部件、上述排气部件及上述加热部件。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东京毅力科创株式会社,未经东京毅力科创株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201110168440.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种治疗乳房肿块的药艾条
- 下一篇:一种胃康灵分散片及其制备方法
- 同类专利
- 专利分类
C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的