[发明专利]一种硅片对准系统焦面校准方法有效
| 申请号： | 201110168712.0 | 申请日： | 2011-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN102841516A | 公开（公告）日： | 2012-12-26 |
| 发明（设计）人： | 朱健;孙刚 | 申请（专利权）人： | 上海微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | G03F9/00 | 分类号： | G03F9/00 |
| 代理公司： | 北京连和连知识产权代理有限公司 11278 | 代理人： | 王光辉 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种硅片对准系统焦面的校准方法，包括：步骤一：工件台保持无倾斜，采用高度步进的方式，通过对准标记的反射光强粗测对准光学系统的焦面位置；步骤二：将工件台保持在对准光学系统的焦面位置处，在多个不同的倾斜度下使用对准光学系统对准对准标记，得到对准位置与倾斜度之间的关系曲线，进而得到干涉仪阿贝误差；步骤三：保持倾斜度，不断改变工件台高度，测得表示对应的倾斜度下对准位置与高度之间关系的直线，改变倾斜度，重复上述步骤，测得对准光学系统的焦面高度及焦面倾角；步骤四：利用步骤三中得到的焦面高度和焦面倾角，利用迭代的方法重复步骤二得到精确校准干涉仪阿贝误差，然后重复步骤三精确校准对准光学系统的焦面。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 硅片 对准 系统 校准 方法 | ||
【主权项】：
一种硅片对准系统焦面的校准方法，包括：步骤一：工件台保持无倾斜，采用高度步进的方式，通过对准标记的反射光强粗测对准光学系统的焦面位置；步骤二：将工件台保持在对准光学系统的焦面位置处，在多个不同的倾斜度下使用对准光学系统对准对准标记，得到对准位置与倾斜度之间的关系曲线，进而得到干涉仪阿贝误差；步骤三：保持倾斜度，不断改变工件台高度，测得表示对应的倾斜度下对准位置与高度之间关系的直线，改变倾斜度，重复上述步骤，测得对准光学系统的焦面高度及焦面倾角；步骤四：利用步骤三中得到的焦面高度和焦面倾角，利用迭代的方法重复步骤二得到精确校准干涉仪阿贝误差，然后重复步骤三精确校准对准光学系统的焦面。
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