[发明专利]基于玻璃基的PLC晶圆切割方法无效
| 申请号： | 201110168791.5 | 申请日： | 2011-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN102280410A | 公开（公告）日： | 2011-12-14 |
| 发明（设计）人： | 吴传洁 | 申请（专利权）人： | 深圳市中兴新地通信器材有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/78 | 分类号： | H01L21/78;B28D5/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518129 广东省深圳市龙岗区坂*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明适用于半导体制程领域。本发明公开一种基于玻璃基的PLC晶圆切割方法，该基于玻璃基的PLC晶圆切割方法包括，在玻璃基板上涂上涂有粘合层，通过热熔方式使粘合层与需要切割的PLC晶圆进行粘合，待粘合层冷却PLC晶圆固定后采用切割工具对与玻璃基板固定的PLC晶圆进行切割。与现有技术，由于被切割的PLC晶圆通过热熔将粘合层与玻璃基板进行固定，其牢固度是UV膜的3倍以上，一方面可以在切刀转速过快时，避免PLC晶圆产生移位造成切割精度不高，同时该PLC晶圆与粘合层之间产生足够的机械强度，使得切割后的晶粒有背面的崩缺减少，通常在50um，同时切刀转速快是可以提高切割速度，提高切割效率，成本较低。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 玻璃 plc 切割 方法 | ||
【主权项】：
一种基于玻璃基的PLC晶圆切割方法，包括在玻璃基板上涂上涂有粘合层，通过热熔方式使粘合层与需要切割的PLC晶圆进行粘合，待粘合层冷却PLC晶圆固定后采用切割工具对与玻璃基板固定的PLC晶圆进行切割。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市中兴新地通信器材有限公司，未经深圳市中兴新地通信器材有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110168791.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
