[发明专利]一种沟槽结构肖特基器件无效
| 申请号： | 201110170815.0 | 申请日： | 2011-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN102222701A | 公开（公告）日： | 2011-10-19 |
| 发明（设计）人： | 王颖;徐立坤;曹菲;刘云涛;邵雷 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工程大学 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 150001 黑龙江省哈尔滨市南岗区*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 本发明提供的是一种沟槽结构肖特基器件。包括阳极电极(1)、二氧化硅层(2)、P+保护环(3)、肖特基接触(4)、P型掺杂区域(5)、N型漂移区(6)、N+衬底区(7)、阴极电极(8)，在N型漂移区(6)内刻蚀有沟槽结构，在沟槽中先形成P型掺杂区域(5)，然后进行肖特基金属溅射形成沟槽内的肖特基接触部分。本发明在普通SBD结构中的漂移区中刻蚀沟槽先形成P型掺杂区，而后溅射肖特基金属与N型漂移区形成肖特基接触。在不牺牲器件反向特性的情况下，提高肖特基器件的正向导通电流。本发明实施工艺与结势垒控制肖特基二极管JBS工艺兼容，容易实现，且更能满足现代功率电子系统的要求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 沟槽 结构 肖特基 器件 | ||
【主权项】：
一种沟槽结构肖特基器件，包括阳极电极(1)、二氧化硅层(2)、P+保护环(3)、肖特基接触(4)、P型掺杂区域(5)、N型漂移区(6)、N+衬底区(7)、阴极电极(8)，其特征是：在N型漂移区(6)内刻蚀有沟槽结构，在沟槽中先形成P型掺杂区域(5)，然后进行肖特基金属溅射形成沟槽内的肖特基接触部分。
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