[发明专利]铜互联线大马士革技术中减少铜凹陷的方法有效
| 申请号： | 201110170846.6 | 申请日： | 2011-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN102244033A | 公开（公告）日： | 2011-11-16 |
| 发明（设计）人： | 黄仁东 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201210 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种铜互联线大马士革技术中减少铜凹陷的方法，包括以下步骤：提供一基底，所述基底中形成有线槽，在所述基底表面依次覆盖有阻挡层和铜层；在所述铜层上方形成一保护层；利用光刻和刻蚀工艺去除位于所述线槽外铜层上方的保护层，保留位于线槽中铜层上方的保护层；进行第一次化学机械平坦化，去除位于所述线槽外的铜层；进行第二次化学机械平坦化，去除位于所述线槽外的阻挡层和剩余的保护层。本发明所述工艺方法通过在线槽内的铜层上设置一层保护层，使得在化学机械平坦化过程中，线槽内的铜层能够得到保护，该保护层在第二次化学机械平坦化时被去除，从而获得无铜凹陷的铜互联线大马士革结构。 | ||
| 搜索关键词： | 铜互联线 大马士革 技术 减少 凹陷 方法 | ||
【主权项】：
一种铜互联线大马士革技术中减少铜凹陷的方法，其特征在于，包括以下步骤：提供一基底，所述基底中形成有线槽，在所述基底表面依次覆盖有阻挡层和铜层；在所述铜层上方形成一保护层；利用光刻和刻蚀工艺，去除位于所述线槽外铜层上方的保护层，保留位于线槽中铜层上方的保护层；进行第一次化学机械平坦化，去除位于所述线槽外的铜层；进行第二次化学机械平坦化，去除位于所述线槽外的阻挡层和剩余的保护层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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