[发明专利]一种锗基NMOS器件及其制备方法有效
| 申请号： | 201110170991.4 | 申请日： | 2011-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN102227001A | 公开（公告）日： | 2011-10-26 |
| 发明（设计）人： | 黄如;李志强;安霞;郭岳;张兴 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/47;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京万象新悦知识产权代理事务所(普通合伙) 11360 | 代理人： | 张肖琪 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种锗基NMOS器件结构及其制备方法。该方法在源、漏区与衬底之间淀积了二氧化锗(GeO2)和金属氧化物双层介质材料。本发明不但降低了锗基肖特基NMOS源漏处电子的势垒高度，改善了锗基肖特基晶体管的电流开关比，提升了锗基肖特基NMOS晶体管的性能，而且制作工艺与硅CMOS技术完全兼容，保持了工艺简单的优势。相对于现有工艺制备方法，本发明结构及其制造方法简单、有效地提升锗基肖特基NMOS晶体管的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 nmos 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种锗基肖特基NMOS晶体管，其特征在于，在衬底与源、漏区之间淀积二氧化锗层和金属氧化物层，具体为：在衬底上淀积一层二氧化锗，在二氧化锗层上淀积一层金属氧化物，金属源、漏位于金属氧化物层上。
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