[发明专利]一种太阳能电池生产中单晶硅的扩散方法无效
| 申请号： | 201110171010.8 | 申请日： | 2011-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN102842642A | 公开（公告）日： | 2012-12-26 |
| 发明（设计）人： | 刘万学;张兵;王德宏;崔学国;刘志坚 | 申请（专利权）人： | 吉林庆达新能源电力股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 吉林省长春市新时代专利商标代理有限公司 22204 | 代理人： | 石岱 |
| 地址： | 136001 吉林*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 本发明涉及太阳能电池生产领域，具体的说是一种能够快速有效的在单晶硅扩散工艺中吸杂的方法。该方法包括扩散工序、干氧吸杂工序，其具体步骤是：扩散工序后的干氧吸杂工序采用先高温后低温的变温通氧吸杂工序，首先在850℃左右通入1000sccm/min的干氧100秒，然后继续变温至830度左右通入2000sccm/min干氧500秒完成吸杂过程。本发明解决了现有技术的不足，能够有效去除单晶硅电池因不同厂家工艺生产的单晶硅片中铁沾污，提高单晶硅电池的少子寿命，开路电压、短路电流、填充因子，从而提高单晶硅电池的整体效率和产品的价值。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 太阳能电池 生产 单晶硅 扩散 方法 | ||
【主权项】：
一种太阳能电池生产中单晶硅的扩散方法，该方法包括扩散工序、干氧吸杂工序，其特征在于：具体步骤是：扩散工序后的干氧吸杂工序采用先高温后低温的变温通氧吸杂工序，首先在850℃左右通入1000sccm/min的干氧100秒，然后继续变温至830度左右通入2000sccm/min干氧500秒完成吸杂过程。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
