[发明专利]有机薄膜晶体管

摘要

本发明公开了一种有机薄膜晶体管，要解决的技术问题是有效提高功函数，降低器件接触电阻。本发明采用以下技术方案：一种有机薄膜晶体管，由衬底、设在衬底上表面的栅介质层、设在栅介质层上的有机功能层及设在有机功能层上的源、漏电极组成，所述源、漏电极与有机功能层之间的接触面上设有过渡层。与现有技术相比，采用在源、漏电极与有机功能层的接触面设置一层镍金属的过渡层，通过该层氧化而形成高功函数的氧化镍与镍金属结合的过渡层，从而在低功函数的金电极与高功函数的有机半导体之间形成了一个载流子传输的过渡层，有效降低电极与有机半导体材料之间的注入势垒。

主权项

一种有机薄膜晶体管，由衬底(1)、设在衬底上表面的栅介质层(2)、设在栅介质层(2)上的有机功能层(3)及设在有机功能层(3)上的源、漏电极(4)组成，其特征在于：所述源、漏电极(4)与有机功能层(3)之间的接触面上设有过渡层(5)。