[发明专利]一种硅基薄膜太阳能电池制备方法

摘要

本发明公开了一种硅基薄膜太阳能电池制备方法，包括的步骤有：采用皮秒激光束在透光导电氧化物层上进行刻划第一沟槽，其中，导电氧化物层与衬底叠加设置；在刻划有第一沟槽的导电氧化物层与所述衬底相对的表面镀半导体光电转化层；在半导体光电转化层上进行刻划第二沟槽；在刻划有第二沟槽的半导体光电转化层与所述导电氧化物层相对的表面镀背电极层；在半导体光电转化层和上背电极层进行刻划第三沟槽。本发明硅基薄膜太阳能电池制备方法所刻划形成的沟槽光滑、均匀，刻划速度快、质量高，且该方法提高了生产效率，降低了生产成本，工序简单，适于工业化生产。

主权项

一种硅基薄膜太阳能电池制备方法，包括如下步骤：提供在表面镀有透光导电氧化物层的透光的衬底；施加皮秒激光束，使所述皮秒激光束穿过所述衬底到达所述导电氧化物层，并且划刻所述导电氧化物层，以形成贯穿所述导电氧化物层的第一沟槽；在所述刻划有第一沟槽的导电氧化物层与所述衬底相对的表面镀半导体光电转化层；施加皮秒激光束，使所述皮秒激光束穿过所述衬底和导电氧化物层到达所述半导体光电转化层，并且划刻所述半导体光电转化层，以形成贯穿所述半导体光电转化层的第二沟槽；在所述刻划有第二沟槽的半导体光电转化层与所述导电氧化物层相对的表面镀背电极层；施加皮秒激光束，使所述皮秒激光束穿过所述衬底、导电氧化物层和半导体光电转化层到达所述背电极层，并且划刻所述半导体光电转化层和背电极层，以形成贯穿所述半导体光电转化层和背电极层的第三沟槽；其中，所述皮秒激光束由皮秒激光器发射。