[发明专利]复合介质层的SiCMOS电容及其制作方法无效
| 申请号： | 201110171668.9 | 申请日： | 2011-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN102244108A | 公开（公告）日： | 2011-11-16 |
| 发明（设计）人： | 张玉明;宋庆文;张义门;汤晓燕;贾仁需;王悦湖 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/94 | 分类号： | H01L29/94;H01L29/51;H01L21/02 |
| 代理公司： | 陕西电子工业专利中心 61205 | 代理人： | 王品华;朱红星 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种复合介质层的SiC MOS电容，主要解决现有SiC MOS电容界面态密度高，耐压特性差的问题。该电容结构自下而上依次为N型重掺杂SiC衬底层、N型轻掺杂SiC外延层、SiO2过渡层和HfxAl1-xON介质层，在SiC衬底的背面和HfxAl1-xON的表面溅射金属Al分别引出正负电极。其中N型SiC外延层厚度为10～100μm，掺杂浓度为1×1015～5×1015cm-3，SiO2过渡层厚度为1～15nm，HfxAl1-xON介质层厚度为10～30nm。该SiO2过渡层和HfxAl1-xON层组成复合介质层结构，以降低介质层与SiC界面的界面态密度，减小介质层漏电流，改善介质层的耐压能力，提高SiC MOS器件的可靠性。本发明SiC功率集成电路和SiC功率分离器件的制作。 | ||
| 搜索关键词： | 复合 介质 sicmos 电容 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种复合介质层的SiC MOS电容，包括SiC衬底、栅介质层以及正负电极，其特征在于N型重掺杂SiC衬底层上设有N型轻掺的SiC外延层，SiC外延层上设有SiO2的过渡层，SiO2过渡层上设有HfxAl1‑xON层，该SiO2过渡层和HfxAl1‑xON层组成复合栅介质层结构，正负电极分别从HfxAl1‑xON的表面和SiC衬底的背面引出。
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