[发明专利]高性能薄膜电阻及其制备方法无效
| 申请号： | 201110172418.7 | 申请日： | 2011-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN102314978A | 公开（公告）日： | 2012-01-11 |
| 发明（设计）人： | 邓朝勇;雷远清;崔瑞瑞;张荣芬 | 申请（专利权）人： | 贵州大学 |
| 主分类号： | H01C7/00 | 分类号： | H01C7/00;H01C1/00;H01C1/14;H01C17/00;H01C17/075 |
| 代理公司： | 贵阳中新专利商标事务所 52100 | 代理人： | 程新敏 |
| 地址： | 550003 贵*** | 国省代码： | 贵州;52 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高性能薄膜电阻及其制造方法，包括绝缘基板，在绝缘基板上设有电阻薄膜，在每个电阻薄膜的两侧设有引出电极，在每个电阻薄膜两侧边缘的顶面设有顶部电极，在电阻薄膜的顶面及顶部电极的顶面上设有绝缘保护膜。本发明采用掩膜工艺与沉积法结合的方式来制备薄膜电阻，该方法所易于产业化，所获得的产品各层之间的附着力强、质量好；还采用了化学稳定性好的金属来作为薄膜电阻的材料，以提高电阻材料的耐腐蚀性及热稳定性，使其可以在如高频、高温、高压、低温和太空等恶劣环境下使用，能被应用在众多的高科技领域，扩展了其适用范围。 | ||
| 搜索关键词： | 性能 薄膜 电阻 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种高性能薄膜电阻，包括绝缘基板（4），其特征在于：在绝缘基板（4）上设有电阻薄膜（3），在每个电阻薄膜（3）的两侧设有引出电极（1），在每个电阻薄膜（3）两侧边缘的顶面设有顶部电极（5），在电阻薄膜（3）的顶面及顶部电极（5）的顶面上设有绝缘保护膜（2）。
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