[发明专利]用于高功率的、基于GaN的FET的布图设计

摘要

用于高功率的、基于GaN的FET的布图设计。FET，包括衬底、衬底上的缓冲层、缓冲层上的沟道层和沟道层上的阻挡层。源电极、栅电极和漏电极，在阻挡层上并纵向延伸。沟道层和阻挡层的一部分限定纵向延伸的台面结构，源电极和漏电极延伸越过台面结构的边缘。栅电极沿台面结构的边缘侧壁延伸。导电源极互连部在缓冲层上，具有电连接至源电极的第一端。第一介电层在缓冲层上，在源极互连部上。栅极通路在第一介电层中。导电栅极节点沿缓冲层延伸，电连接沿台面结构的侧壁延伸的栅电极的部分。栅极衬垫在邻近台面结构的第一介电层上。导电栅极连接带在栅极节点上并接触。栅极带与栅极衬垫电接触。源极通路在第一介电层中，源极衬垫在源极通路中。导电源极互连部有与源极衬垫电接触的第二端。

主权项

一种FET，包括：衬底、布置在所述衬底上的缓冲层、布置在所述缓冲层上的沟道层、以及布置在所述沟道层上的阻挡层；源电极、栅电极和漏电极，它们布置在所述阻挡层之上，并以纵向方向在其上延伸，其中，所述沟道层和所述阻挡层它们的一部分限定了一个沿纵向延伸的台面结构，以及所述源电极和所述漏电极延伸越过该台面结构的边缘，以及其中所述栅电极沿所述台面结构的边缘侧壁延伸；导电源极互连部，布置在所述缓冲层上，并具有电连接至所述源电极的第一端；第一介电层，布置在所述缓冲层上，并位于所述源极互连部之上；栅极通路，形成在所述第一介电层之中；导电栅极节点，沿所述缓冲层延伸，并与沿所述台面结构的侧壁延伸的所述栅电极的部分电连接；栅极衬垫，布置在邻近所述台面结构的所述第一介电层上；导电栅极连接带，位于所述栅极节点上并与该栅极节点接触，栅极带与所述栅极衬垫电接触；源极通路，形成在所述第一介电层中；以及源极衬垫，形成在所述源极通路中，所述导电源极互连部具有与所述源极衬垫电接触的第二端。