[发明专利]SOI CMOS射频开关及其形成方法,及采用其的器件有效

专利信息
申请号: 201110172450.5 申请日: 2011-06-23
公开(公告)号: CN102290377A 公开(公告)日: 2011-12-21
发明(设计)人: 许丹 申请(专利权)人: 上海宏力半导体制造有限公司
主分类号: H01L21/84 分类号: H01L21/84;H01L27/12;H03K17/687
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 骆苏华
地址: 201203 上海市浦东新*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 一种SOI CMOS射频开关形成方法,以及通过所述方法形成的SOI CMOS射频开关,以及采用通过所述方法形成的SOI CMOS射频开关的器件,所述SOICMOS射频开关形成方法包括,提供SOI衬底,所述SOI衬底分为开关区域和外围区域,所述SOI衬底包括依次形成的支撑衬底,绝缘薄膜层和半导体层;在所述开关区域形成至少一个晶体管,其中,所述晶体管栅极位于所述半导体层表面,所述晶体管的源、漏极所述半导体层内;去除与形成于开关区域I的晶体管位置对应的支撑衬底。通过本发明可以避免现有SOI CMOS射频开关的信号损失问题以及非线性效应。
搜索关键词: soi cmos 射频 开关 及其 形成 方法 采用 器件
【主权项】:
一种SOI CMOS射频开关形成方法,其特征在于,包括:提供SOI衬底,所述SOI衬底分为开关区域和外围区域,所述SOI衬底包括依次形成的支撑衬底,绝缘薄膜层和半导体层;在所述开关区域形成至少一个晶体管;去除位于所述开关区域的支撑衬底。
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