[发明专利]SOI CMOS射频开关及其形成方法,及采用其的器件有效
申请号: | 201110172450.5 | 申请日: | 2011-06-23 |
公开(公告)号: | CN102290377A | 公开(公告)日: | 2011-12-21 |
发明(设计)人: | 许丹 | 申请(专利权)人: | 上海宏力半导体制造有限公司 |
主分类号: | H01L21/84 | 分类号: | H01L21/84;H01L27/12;H03K17/687 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 骆苏华 |
地址: | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 一种SOI CMOS射频开关形成方法,以及通过所述方法形成的SOI CMOS射频开关,以及采用通过所述方法形成的SOI CMOS射频开关的器件,所述SOICMOS射频开关形成方法包括,提供SOI衬底,所述SOI衬底分为开关区域和外围区域,所述SOI衬底包括依次形成的支撑衬底,绝缘薄膜层和半导体层;在所述开关区域形成至少一个晶体管,其中,所述晶体管栅极位于所述半导体层表面,所述晶体管的源、漏极所述半导体层内;去除与形成于开关区域I的晶体管位置对应的支撑衬底。通过本发明可以避免现有SOI CMOS射频开关的信号损失问题以及非线性效应。 | ||
搜索关键词: | soi cmos 射频 开关 及其 形成 方法 采用 器件 | ||
【主权项】:
一种SOI CMOS射频开关形成方法,其特征在于,包括:提供SOI衬底,所述SOI衬底分为开关区域和外围区域,所述SOI衬底包括依次形成的支撑衬底,绝缘薄膜层和半导体层;在所述开关区域形成至少一个晶体管;去除位于所述开关区域的支撑衬底。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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