[发明专利]装置和图像传感器有效
申请号: | 201110172539.1 | 申请日: | 2008-03-19 |
公开(公告)号: | CN102270651A | 公开(公告)日: | 2011-12-07 |
发明(设计)人: | 南现熙;朴正烈 | 申请(专利权)人: | 智慧投资II有限责任公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;G03F1/14 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 彭久云 |
地址: | 美国华*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明是装置和图像传感器。本发明涉及一种光掩模以及利用该掩模来制造图像传感器的方法,图像传感器的制造方法包括在逻辑电路区域和像素区域中的在衬底上形成绝缘层;在绝缘层上形成光刻胶;图案化光刻胶以形成其中暴露像素区域中的绝缘层而不暴露逻辑电路区域中的绝缘层的光刻胶图案,其中在逻辑电路区域到像素区域的方向上光刻胶图案的厚度在像素区域与逻辑电路区域之间的界面区域中逐渐减小;和在光刻胶图案和绝缘层的蚀刻速率基本相同的条件下在绝缘层和光刻胶图案上实施回蚀刻工艺。 | ||
搜索关键词: | 装置 图像传感器 | ||
【主权项】:
一种装置,包括:图像传感器衬底,包括像素区域、逻辑电路区域以及所述像素区域与所述逻辑电路区域之间的界面区域;以及光掩模,其用于光刻工艺以选择性地蚀刻图像传感器的像素区域和界面区域上的绝缘层,所述光掩模包括:第一区域,在所述第一区域中,形成在所述衬底的像素区域上的光刻胶被移除;第三区域,在所述第三区域中,形成在所述衬底的逻辑电路区域上的光刻胶保留而未被蚀刻;和具有图案的第二区域,通过所述图案,在从所述第一区域到所述第三区域的方向上逐渐减小传输至所述衬底的界面区域上的光的量。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的