[发明专利]一种绝缘体上硅基的波导光栅耦合器及其制备方法无效
| 申请号： | 201110172971.0 | 申请日： | 2011-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN102253459A | 公开（公告）日： | 2011-11-23 |
| 发明（设计）人： | 李京波;李庆跃;李凯;董珊;颜晓升;池旭明;李树深;夏建白 | 申请（专利权）人： | 浙江东晶光电科技有限公司 |
| 主分类号： | G02B6/34 | 分类号： | G02B6/34;G02B6/124;G02B6/136 |
| 代理公司： | 金华科源专利事务所有限公司 33103 | 代理人： | 黄飞 |
| 地址： | 321016 浙江省金华市秋滨*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及光子器件技术领域，具体是一种绝缘体上硅基的波导光栅耦合器及其制备方法，该光栅耦合器绝缘衬底硅(SOI)片，其特征在于：SOI片由硅衬底、限制层、顶硅层构成，限制层在硅衬底上，顶硅层制作在限制层上，在顶硅层的表面制作有衍射光栅，在衍射光栅的另一侧为宽波导和锥形波导，与锥形波导连接的为亚微米波导，在顶硅层上的衍射光栅的上方有用于接收衍射光的光纤。本发明光栅耦合器的制备方法，将电子束曝光和普通光刻结合起来，即用高精度的电子束曝光定义精细的光栅与亚微米波导结构，用低精度的普通光刻定义第二次硅刻蚀的窗口，能大大提高制作的工艺容差，又保证了精细结构的完整性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 绝缘体 上硅基 波导 光栅 耦合器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种绝缘体上硅基的波导光栅耦合器，包括SOI片，其特征在于：SOI片由硅衬底、限制层、顶硅层构成，限制层在硅衬底上，顶硅层制作在限制层上，在顶硅层的表面制作有衍射光栅，在衍射光栅的另一侧为宽波导和锥形波导，与锥形波导连接的为亚微米波导，在顶硅层上的衍射光栅的上方有用于接收衍射光的光纤。
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