[发明专利]一种超薄高效单晶硅太阳能电池无效
申请号: | 201110173376.9 | 申请日: | 2011-06-26 |
公开(公告)号: | CN102842626A | 公开(公告)日: | 2012-12-26 |
发明(设计)人: | 倪云达;葛正芳;胡宏珊 | 申请(专利权)人: | 江苏顺大半导体发展有限公司 |
主分类号: | H01L31/0352 | 分类号: | H01L31/0352;H01L31/0216;H01L31/04 |
代理公司: | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人: | 徐激波 |
地址: | 225653 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种超薄高效单晶硅太阳能电池,包括P型硅片,在P型硅片的正面设有作为负极的NP结,在NP结的正面设有氧化硅减反射膜,正极金属电极穿过氧化硅减反射膜与NP结形成欧姆接触;在P型硅片的反面设置P+层,在P+层的反面设置铝背场,在铝背场中设有背电极;正面栅线包括主栅线和细栅线,正面栅线的阴影面积占正面总面积的15%~16%,其中细栅线的阴影面积占正面总面积的10%~11%。本发明提供的超薄高效单晶硅太阳能电池,结构合理,工作性能良好,且制造成本低。 | ||
搜索关键词: | 一种 超薄 高效 单晶硅 太阳能电池 | ||
【主权项】:
一种超薄高效单晶硅太阳能电池,其特征在于:该太阳能电池包括P型硅片(1),在P型硅片(1)的正面设有作为负极的NP结(2),在NP结(2)的正面设有氧化硅减反射膜(3),正极金属电极(4)穿过氧化硅减反射膜(3)与NP结(2)形成欧姆接触;在P型硅片(1)的反面设置P+层(5),在P+层(5)的反面设置铝背场(6),在铝背场(6)中设有背电极(7);正面栅线包括主栅线和细栅线,正面栅线的阴影面积占正面总面积的15%~16%,其中细栅线的阴影面积占正面总面积的10%~11%。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的