[发明专利]一种超薄高效单晶硅太阳能电池无效

专利信息
申请号: 201110173376.9 申请日: 2011-06-26
公开(公告)号: CN102842626A 公开(公告)日: 2012-12-26
发明(设计)人: 倪云达;葛正芳;胡宏珊 申请(专利权)人: 江苏顺大半导体发展有限公司
主分类号: H01L31/0352 分类号: H01L31/0352;H01L31/0216;H01L31/04
代理公司: 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 代理人: 徐激波
地址: 225653 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种超薄高效单晶硅太阳能电池,包括P型硅片,在P型硅片的正面设有作为负极的NP结,在NP结的正面设有氧化硅减反射膜,正极金属电极穿过氧化硅减反射膜与NP结形成欧姆接触;在P型硅片的反面设置P+层,在P+层的反面设置铝背场,在铝背场中设有背电极;正面栅线包括主栅线和细栅线,正面栅线的阴影面积占正面总面积的15%~16%,其中细栅线的阴影面积占正面总面积的10%~11%。本发明提供的超薄高效单晶硅太阳能电池,结构合理,工作性能良好,且制造成本低。
搜索关键词: 一种 超薄 高效 单晶硅 太阳能电池
【主权项】:
一种超薄高效单晶硅太阳能电池,其特征在于:该太阳能电池包括P型硅片(1),在P型硅片(1)的正面设有作为负极的NP结(2),在NP结(2)的正面设有氧化硅减反射膜(3),正极金属电极(4)穿过氧化硅减反射膜(3)与NP结(2)形成欧姆接触;在P型硅片(1)的反面设置P+层(5),在P+层(5)的反面设置铝背场(6),在铝背场(6)中设有背电极(7);正面栅线包括主栅线和细栅线,正面栅线的阴影面积占正面总面积的15%~16%,其中细栅线的阴影面积占正面总面积的10%~11%。
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